台积电申请半导体装置及其制备方法专利，降低半导体装置内电迁移及/或应力迁移的可能性反季穿搭！

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金融界 2024 年 9 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制备方法“，公开号 CN202410600334.6 ，申请日期为 2024 年 5 月。

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专利摘要显示，本文描述的一些实施方式，提供了用于形成与半导体装置中包括与多层膜结构相邻的铜结构的技术和装置所述技术包括使用电镀工艺以形成与多层膜结构相邻的铜结构，其中氯分子前层在电镀工艺期间涂覆多层膜结构的晶种层。

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在铜结构的形成过程中，可以在铜结构和包括晶种层的多层膜结构之间形成富含氯界面区（例如，包括具有氯的铜螯合物的控制层）富含氯界面区可以降低半导体装置内电迁移及/或应力迁移的可能性

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